安规电容器
您当前的位置 : 首 页 > 南平抑制射频干扰整件滤波器
南平通用型抑制射频干扰滤波器

南平通用型抑制射频干扰滤波器

  • 所属分类:南平抑制射频干扰整件滤波器
  • 浏览次数:
  • 发布日期:2022-01-05 10:30:58
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

特性和应用

1:产品通过ENEC.CQC和CB等安全认证并符合欧盟RoHs标准,产品标准等同于IEC60384-14,符合EN132400标准要求。

2:电容器采用金属化聚丙嫦对膜卷绕而成,有自愈特性,电性能好,电容量随温度和频率变化小。

3:电容器类别为X1 Y2 . 采用一个X1和两个 Y2 龟容器及一个电感组合而成。

4:产品适用于交流电源德波器和交流滤波电路中。

技术要求

引用标准:IEC60384-14/EN32400

气候类别:40/105/21/℃

耐电压:X2(ab)2100VDC.5S;  Y2(ab,bc)3000VDC,5S

电容量偏差:K:±10%  M:±20%

额定电压:250VAC/275VAC/300VAC

损耗角正切: ≤0.001(20℃ 1KHZ),≤0.002(20℃ 10KHZ)

绝缘电阻:R≥15000MΩ,Cn≤0.33μF

RCn≥5000S  Cn>0.33μF(20℃,100V,1min)

耐久性:X2(ab):+85℃;1.25UR;1000h

Y2(ab,bc):+85℃;1.7UR;1000h

AC间电容Cx值(μF): 分离值:Cx±10%  组合值: :Cx±10%

AB或CB间电容Cy值(nF): 分离值:Cy±10%  组合值: :2*Cy±10%

扬州晶电电子科技有限公司是一家专业生产和销售金属化薄膜电容器的厂家。主要生产金属化薄膜电容器5大系列:1、双面金属化电容器(MMKP)2、高频高压电容器(CBB81)3、聚丙薄膜电容器(CBB21)4、聚脂薄膜电容器(CL21、CL21X)5、方壳电容器(MKP、X2)、轴向电容器


CBB668A抑制射频干扰整件滤波器



标签

上一篇:射频干扰滤波器2022-01-13

最近浏览:

Copyright © 扬州晶电电子科技有限公司 All rights reserved 备案号: 苏ICP备20026786号 主要从事于 南平安规电容器,南平薄膜电容器,南平薄膜电容厂家, 欢迎来电咨询! 服务支持:骏驰信息