高压陶瓷电容器

        现阶段研制开发高电压陶瓷电容器有钛酸钡基瓷和钛酸锶。一类钛酸钡基陶瓷材料有不错的交流耐压性能与介电系数，但存在着介质温度升高、绝缘电阻降低等问题。最后表明：钛酸锶晶体在-250℃时居里温度为-250℃，是一种顺电体，且无自发极化，在高电压下，陶瓷材料介电系数变化小，tgδ及电容变化率小，因此它作为高压电容器介质具有不错的优势。

多层式陶瓷电容器

       是片式电子元件中运用最普遍的一种，又被称为片形独石电容器，具有尺寸小、高精度等特点，可贴装在印制电路板、混合集成电路基片上，有效缩小了电子信息终端产品的体型、重量，提高了产品可靠性。随着IT产业向微型化、轻量型、高性能、多功能化方向发展，2010年的远景目标纲要中有指示，将表面贴装件等新电子元件作为电子产业的发展重点。

       该方法封装简单，密封性能好，可有效地隔离异性电极。MLCC可在电子线路上起储存电荷、阻隔直流、滤波、反干扰、区分不同频率以及实现电路调节等功能。它可以部分替代有机薄膜电容和电解电容，在高频开关电源、计算机网络电源和移动通讯设备中，极大地提高了高频开关电源的滤波性能和抗干扰能力。

半导体陶瓷电容器

（1）对BaTiO3来讲，晶界层陶瓷电容晶粒生长发育比较完整的BaTiO3半导体表面，涂覆恰当的金属氧化物，在恰当的温度下热处理，氧化膜与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散，在陶瓷内部形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这一薄的固溶体绝缘层具有很高的电阻率，尽管陶瓷粒子内部还是以半导体为主，但是整个陶瓷体在显介电常数上表现出2×104~8×104的高质量绝缘介质。

（2）表面陶瓷电容，电容器的微型化，即电容器以大限度小的体型得到尽可能大的容量，是电容器发展的趋势之一。对分离电容器组件来讲，微型化的基本途径有两条：①尽量提高介质材料的介电常数；②使介质层厚度尽量减小。对于陶瓷材料，铁电陶瓷具有非常高的介电常数，但是，要想用铁电陶瓷制作普通铁电陶瓷电容时，陶瓷介质很难实现。一是由于铁电陶瓷强度低，在薄板上易碎裂，难以实际生产操作；二，陶瓷介质很薄，易产生各种组织缺陷，生产工艺困难。